鍍膜材料：金屬膜料、氧化物、氟化物、硫化物、鈦酸物、混合物等各種膜材、鍍膜蒸發(fā)料；PVD涂層、TiN涂層、TiC涂層、TiCN涂層、ZrN涂層、CrN涂層、MoS2涂層、TiAlN涂層、TiAlCN涂層、TiN-AlN涂層、CNx涂層、DLC涂層、ta－C涂層等多元復(fù)合涂層；靶材：濺射靶材、金屬靶材、合金靶材、陶瓷靶材、合金靶材、單晶靶材、氧化物靶材、硼化物靶材、碳化物靶材、貴金屬靶材、稀有金屬靶材（鈦、鈮、鋯、鎳、鉭、鎢、鉬、鉿、鉻、銀等），單一金屬靶材、蒸發(fā)材料、特種靶材等各類靶材；
低溫超導(dǎo)薄膜：低熔點超導(dǎo)薄膜：低熔點超導(dǎo)薄膜，合金薄膜；高熔點超導(dǎo)薄膜：難熔金屬，合金薄膜；化合物超導(dǎo)薄膜： NbN和Nb3Sn、Nb3Ge薄膜；
高溫超導(dǎo)薄膜：釔系薄膜、鉍系薄膜和鉈系薄膜；
功能薄膜：光學(xué)薄膜，背光/顯示用膜，顯示屏用膜，產(chǎn)業(yè)用薄膜，光伏薄膜；
鍍膜設(shè)備：真空鍍膜機(jī)、真空蒸鍍設(shè)備、光學(xué)鍍膜機(jī)、濺射鍍膜機(jī)、眼鏡鍍膜機(jī)、光纖鍍膜、CVD設(shè)備、MOCVD設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、玻璃鍍膜設(shè)備、磁控鍍膜、蒸鍍設(shè)備、離子束沉積設(shè)備、電子槍、離子源；蒸發(fā)沉積掩膜、晶振片、鍍膜夾具、配件、儀器、鍍膜測試與監(jiān)控設(shè)備、膜厚監(jiān)測儀、鍍膜牢固度測試器等；
鍍膜材料生產(chǎn)加工設(shè)備：冷等靜壓機(jī)，熱等靜壓機(jī)，磁控濺射熱蒸發(fā)，銅帶銅銦硫技術(shù)與設(shè)備，高溫釬焊爐，燒結(jié)爐，中頻感應(yīng)爐，電子束區(qū)熔爐，電子束熔煉爐，大面靶材釬焊爐，高溫真空熱壓爐，軋機(jī)等；
超導(dǎo)器件：超導(dǎo)隧道器件，超導(dǎo)量子干涉器件，
薄膜成型機(jī)械、檢測檢驗儀器、特殊裝置、薄膜原料及化工產(chǎn)品；
潔凈工程：潔凈、防護(hù)系統(tǒng)，屏蔽防護(hù)產(chǎn)品、屏蔽機(jī)房設(shè)備、屏蔽桌/臺/柜，安全防護(hù)服、潔凈室耗材、防靜電產(chǎn)品等；
相關(guān)出版物及網(wǎng)絡(luò)。
晶體生長設(shè)備及儀器：
軟軸提拉單晶爐，軟軸單晶爐，區(qū)熔單晶爐，直拉硅單晶爐；高壓單晶爐，三段式加熱型晶爐，三段式加熱帶磁場型高壓單晶爐，中壓單晶爐；激光晶體爐，氧化物晶體爐，化合物晶體爐，化合物生長設(shè)備，氧化物生長設(shè)備，鈮酸鋰鉭酸鋰晶體爐，釩酸釔晶體爐, TDL－FZ50 型區(qū)域熔化提純爐；六面頂壓機(jī)，壓機(jī)精密數(shù)控裝置及合成技術(shù)，金剛石膜生產(chǎn)設(shè)備及沉積技術(shù)，高純度觸媒粉霧化設(shè)備及工藝技術(shù)；超硬材料料有序排列布料、高效精密激光焊接、高效精密成型等；六角切割機(jī)，水溶晶體切割設(shè)備，研磨拋光機(jī)；晶體檢驗、測試、分析儀器；
人工晶體：
超硬晶體：金剛石單晶和立方氮化硼晶體；半導(dǎo)體晶體：無機(jī)半導(dǎo)體晶體、有機(jī)半導(dǎo)體材料和非晶態(tài)半導(dǎo)體；光功能晶體：光學(xué)晶體、電光晶體、聲光晶體、磁光晶體、激光晶體、非線性晶體、光折變晶體和閃爍晶體等；壓電晶體：英晶體、鈮酸鋰晶體、硅酸鎵鑭及其同系物晶體；熱釋電晶體：硫酸甘氨酸(TGS，包括與其同型的晶體)晶體、鈮酸鍶鋇(SBN)晶體、硫酸鋰(LSH)和鉭酸鋰(LiTaO3)晶體等；激光晶體，非線性光學(xué)晶體，雙折射晶體，絕緣晶體，閃爍晶體，光子晶體，塊狀晶體，薄膜晶體，纖維晶體，納米晶體，液晶和準(zhǔn)晶，人工寶石等；
晶體原輔材料：氟化鋇，氟化鎂，氟化鈣，氟化鉛，氟化鋰，氟化鈰，砷化稼，碳化硅，單晶硅，多晶硅錠，單晶鍺，氧化鋯纖維，氧化鋁,鈮酸鋰；
相關(guān)出版物及網(wǎng)絡(luò)。
