主題：聚焦前沿技術(shù)突破，賦能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新融合
預(yù)計(jì)30000㎡+展出面積；30000名+專業(yè)觀眾；400家+領(lǐng)先展商
同期舉辦：中國(guó)（武漢）數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)
武漢半導(dǎo)體展展示主題：
IC 設(shè)計(jì)、芯片
第三代半導(dǎo)體材料SiC/GaN/GaAs
晶圓制造及封裝
半導(dǎo)體設(shè)備
半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)
封裝測(cè)試
半導(dǎo)體材料
可靠性測(cè)試及認(rèn)證
※ 關(guān)于武漢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)
在國(guó)家大力推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)逐漸形成了以北京為核心的京津翼地區(qū)、以上海為核心的長(zhǎng)三角地區(qū)、以深圳為核心的珠三角地區(qū)、以四川、重慶、湖北、湖南、安徽等為核心的中西部地區(qū)四大產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。隨著新一輪集成電路發(fā)展熱潮涌現(xiàn)，除京滬等地繼續(xù)領(lǐng)跑外，中西部地區(qū)省市雖為第二梯隊(duì)，卻也因西安、成都、重慶、武漢、長(zhǎng)沙、合肥等集成電路重點(diǎn)城市，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展*活躍的產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)，其中湖北憑借著國(guó)家存儲(chǔ)基地備受業(yè)界關(guān)注。
根據(jù)湖北省“一芯兩帶三區(qū)”區(qū)域和產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局，以集成電路為代表的電子信息產(chǎn)業(yè)是發(fā)展規(guī)劃的重中之重。2025年，湖北省集成電路、半導(dǎo)體等電子信息產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入將超過(guò)8000億元，同比增長(zhǎng)兩成，其中半導(dǎo)體制造業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入為5101億元。
為了推動(dòng)中西部地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的跨越式發(fā)展，促進(jìn)先進(jìn)技術(shù)在中西部地區(qū)的創(chuàng)新應(yīng)用，由中國(guó)（武漢）數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)組委會(huì)聯(lián)合沃森展覽共同打造的 2026 武漢國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（OVC）將于2026年5月20日-22日在武漢·中國(guó)光谷科技會(huì)展中心召開(kāi)，專注于半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際性、專業(yè)化的展會(huì)平臺(tái)，匯聚眾多芯片設(shè)計(jì)及制造、集成電路、封測(cè)、材料及設(shè)備、5G新應(yīng)用、新型顯示等具有影響力的參展商，完整展示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，打造深度的技術(shù)交流平臺(tái)，屆時(shí)組委會(huì)將邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體、工業(yè)電子、汽車電子、醫(yī)療電子、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子、通信等行業(yè)數(shù)萬(wàn)名專業(yè)工程師采購(gòu)參觀。
2026 武漢國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展規(guī)劃30000㎡展出面積，400家領(lǐng)先展商，30000名專業(yè)觀眾以及十多場(chǎng)專業(yè)論壇。期待與您相約武漢，攜手共拓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇！
※ 豐富多彩的同期論壇活動(dòng)
展會(huì)同期舉辦各種主題的技術(shù)論壇，以配合各個(gè)展區(qū)展示產(chǎn)品。組委會(huì)將嚴(yán)格篩選演講嘉賓和演講主題，以技術(shù)為主，配合適量的品牌宣傳，以確保技術(shù)論壇介紹世界范圍內(nèi)*先進(jìn)的、*前沿的半導(dǎo)體技術(shù)，為廣大半導(dǎo)體行業(yè)人士奉送一場(chǎng)“美味佳肴”。
1.中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈發(fā)展論壇
2.功率半導(dǎo)體IGBT/SiC 產(chǎn)業(yè)論壇
3.化合物半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展論壇
4.AI加速半導(dǎo)體材料創(chuàng)新發(fā)展論壇
5.功率mosfet-Si硅/SiC碳化硅|半導(dǎo)體功率器件技術(shù)論壇
6.碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展論壇
7.第三代半導(dǎo)體材料制造與裝備技術(shù)高峰論壇
8.半導(dǎo)體器件性能開(kāi)發(fā)與測(cè)試技術(shù)論壇
時(shí)間安排：
布展時(shí)間：2026年5月18-19日
開(kāi)幕時(shí)間：2026年5月20日（9:00）
展出時(shí)間：2026年5月20日-22日
撤展時(shí)間：2026年5月22日（16:00）
